导电膜的制备设备

（12）实用新型专利

（21）申请号 CN201020607933.4 （22）申请日 2010.11.12

（71）申请人 北大方正集团有限公司

地址 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层

（10）申请公布号 CN201924072U

（43）申请公布日 2011.08.10

（72）发明人 朱兴华

（74）专利代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司

代理人 张丽荣

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

导电膜的制备设备

（57）摘要

本实用新型实施例公开了一种导电膜

的制备设备，涉及真空镀膜技术领域，解决了现有技术中制备导电膜附着力较低和高频信号能量损耗较大的问题。本实用新型实施例在上载缓冲密封室内设有加热装置，用于对经过清洗和烘干后的基片进行真空状态下的加热除气；在离子束刻蚀密封室利用离子束对加热除气后的基片进行离子束刻蚀；在磁控溅射镀膜密封室内利用所述磁控溅射靶在经过离子束刻蚀后的基片上镀制活性原子金属层，并利用所述磁控溅射靶在基片上镀

有活性原子金属层的区域镀制导电金属层。本实用新型实施例主要用于PCB的导电膜制备。 法律状态

法律状态公告日

2011-08-10

授权

法律状态信息

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说明书

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