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专利名称：在薄膜晶体管器件上制备含硅膜的方法专利类型：发明专利
发明人：A·麦利卡尔珠南,A·D·约翰森,王美良,R·N·弗尔蒂斯,
韩冰,雷新建,M·L·奥尼尔
申请号：CN201380024532.2申请日：20130308公开号：CN104284997A公开日：20150114
摘要：本文描述了低温加工的高质量含硅膜。还公开了在低温下形成含硅膜的方法。在一个方面，提供了具有约2nm至约200nm的厚度和约2.2g/cm或更大的密度的含硅膜，其中所述含硅薄膜通过选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)的沉积工艺沉积，并且所述气相沉积使用选自二乙基硅烷、三乙基硅烷以及它们的组合的烷基硅烷前体在约25℃至约400℃范围的一个或多个温度下进行。
申请人：气体产品与化学公司
地址：美国宾夕法尼亚州
国籍：US
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：吴亦华
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