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专利名称：形成多晶硅薄膜的方法以及形成薄膜晶体管的方法专利类型：发明专利
发明人：黄显雄,王文俊,张恒毅,刘锦璋申请号：CN201310088765.0申请日：20130319公开号：CN1034783A公开日：20140101
摘要：本发明公开了一种形成多晶硅薄膜的方法以及一种形成薄膜晶体管的方法。形成多晶硅薄膜的方法包括下列步骤。首先，提供一基底。然后，进行一加热处理。接着，进行一硅薄膜沉积工艺，用以直接在基底的上表面上形成一多晶硅薄膜。形成薄膜晶体管的方法包括下列步骤。首先，提供基底。然后，进行加热处理。接着，进行硅薄膜沉积工艺，用以直接在基底的上表面上形成多晶硅薄膜。然后，对多晶硅薄膜进行一第一图案化工艺，用以形成一半导体图案。之后，形成一栅极电极、一栅极介电层、一源极电极以及一漏极电极。
申请人：胜华科技股份有限公司
地址：中国台中市
国籍：CN
代理机构：深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人：江耀纯
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