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专利名称：一种低缺陷多晶硅的铸锭方法专利类型：发明专利发明人：李广森
申请号：CN201910054815.0申请日：20190121公开号：CN109680331A公开日：20190426
摘要：本发明提供一种低缺陷多晶硅的铸锭方法，涉及多晶硅生产技术领域。包括以下步骤：坩埚预处理、铸锭预备、加热、熔融、长晶、退火、冷却。本发明克服了现有技术的不足，能有效提高硅熔体的对流强度，并且有效降低硅锭中底部红区高度和碳、氧等杂质浓度，使制得的多晶硅锭晶花均匀细长，位错密度低，引晶效果好，同时有效降低了多晶电池的光值衰减率，光电转高换效率高，利用价值高，产品合格率高。
申请人：安徽华顺半导体发展有限公司
地址：239300 安徽省滁州市天长市杨村镇工业园区
国籍：CN
代理机构：合肥汇融专利代理有限公司
代理人：张雁
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