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专利名称：金属硬质掩模一体化刻蚀方法及其控制系统专利类型：发明专利发明人：黄达斐,吴晓彤申请号：CN201911162919.X申请日：20191125公开号：CN110867374A公开日：20200306
摘要：本发明公开了一种用于半导体生产制造工艺的金属硬质掩模一体化刻蚀方法，包括执行通孔刻蚀，实时反馈通孔刻蚀RFVpp参数，执行原位去胶，根据实时反馈通孔刻蚀RFVpp参数实时计算沟槽刻蚀步骤的实际刻蚀时间，根据所述实际刻蚀时间执行沟槽刻蚀。发明还公开了一种用于半导体生产制造工艺的金属硬质掩模一体化刻蚀控制系统。本发明通过监控通孔刻蚀步骤的RFVpp参数的变化来实时调整沟槽刻蚀时间，以应对腔体环境实时变化，进而得到每批次片间产品间一致的残膜厚度，以保证作业制品片间残膜厚度具有一致性。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：焦天雷
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