一种沟槽栅IGBT及其制作方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN2015107656.7 （22）申请日 2015.11.10

（71）申请人 株洲南车时代电气股份有限公司

地址 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

（10）申请公布号 CN105390537A

（43）申请公布日 2016.03.09

（72）发明人 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉;戴小平 （74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 王宝筠

（51）Int.CI

H01L29/739; H01L21/331;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种沟槽栅IGBT及其制作方法

（57）摘要

本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作

方法，元胞包括位于源极区背离基区一侧、且沿第二方向设置的第一发射极金属电极、至少一个辅助凹槽和第二发射极金属电极，第一发射极金属电极和第二发射极金属电极均延伸至基区，辅助凹槽与源极区接触，且辅助凹槽延伸至漂移区，辅助凹槽内设置有辅助栅层，辅助凹槽的内

壁和辅助栅层之间设置有第二栅氧化层，其中，第一方向与第二方向相交。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间形成至少一个辅助凹槽，以增加沟槽栅IGBT的沟槽密度，增强电导调制效应，进而降低沟槽栅IGBT的通态压降，提高其性能。

法律状态

法律状态公告日2016-03-09 2016-03-09 2016-04-06 2016-04-06 2018-12-21

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

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实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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