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专利名称：半导体存储器装置及其操作方法专利类型：发明专利
发明人：高正美,白侊虎,金志桓,朴成济,安圣薰,郑映燉申请号：CN201911148599.2申请日：20191121公开号：CN111354407A公开日：20200630
摘要：半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置通过以下步骤来操作：将编程脉冲施加到所选字线；更新编程脉冲计数值；基于编程脉冲计数值来确定电流感测模式；并且基于电流感测模式来执行编程验证操作。电流感测模式通过确定单状态电流感测操作和全状态电流感测操作之一来确定，所述单状态电流感测操作用于针对一个目标编程状态确定验证通过还是失败，所述全状态电流感测操作用于针对所有目标编程状态确定验证通过还是失败。
申请人：爱思开海力士有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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