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专利名称：硅晶片的氧化膜形成方法专利类型：发明专利
发明人：大槻刚,户部敏视,水泽康申请号：CN200980114129.2申请日：20090324公开号：CN102017098A公开日：20110413
摘要：本发明涉及一种硅晶片的氧化膜形成方法，是形成硅晶片的氧化膜的方法，其中：先测定硅晶片的表面粗糙度及/或硅晶片表层部的结晶性，然后根据测定值来调整硅晶片的氧化条件，并在调整后的氧化条件下，在硅晶片上形成氧化膜。由此，提供一种氧化膜形成方法，能根据氧化膜形成前的硅晶片的表面及/或表面层的状态，来调整氧化条件，由此，例如即使是极薄的氧化膜，也能精度良好地形成。
申请人：信越半导体股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
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