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专利名称：清洗晶片的方法专利类型：发明专利发明人：吕增富
申请号：CN201010263256.3申请日：20100819公开号：CN102373480A公开日：20120314
摘要：本发明公开了一种清洗晶片的方法，所述晶片上具有铝垫，其中，所述方法包括：使用四甲基氢氧化铵水溶液对所述晶片进行清洗；所述四甲基氢氧化铵水溶液中的四甲基氢氧化铵的含量为1.0重量％至9.8重量％，所述清洗的时间为15秒至40秒，所述清洗在15℃至30℃的温度下进行。所述方法还可以包括状态稳定处理步骤。根据本发明的清洗具有铝垫的晶片的方法，可以有效地减少晶片上的铝垫的侵蚀缺陷并阻止其恶化或传染至其他晶片。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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