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专利名称：GaN HEMT器件专利类型：实用新型专利发明人：陈一峰
申请号：CN201521049125.X申请日：20151216公开号：CN205159335U公开日：20160413
摘要：本实用新型提供了一种GaN？HEMT器件，其包括由下自上依次层叠的衬底、AlN成核层、GaN过渡层和AlGaN肖特基势垒层，GaN过渡层和AlGaN肖特基势垒层之间形成有二维电子气，AlGaN肖特基势垒层上具有欧姆区域，欧姆区域内开设有至少两个孔洞，孔洞从AlGaN肖特基势垒层的表面嵌入AlGaN肖特基势垒层内部，欧姆区域上生长有源极金属或漏极金属，源极金属或漏极金属填满孔洞并覆盖欧姆区域。通过上述方式，本实用新型能够在降低器件欧姆接触电阻的同时，较大限度地降低对器件造成的损伤。
申请人：成都嘉石科技有限公司
地址：610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
国籍：CN
代理机构：成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人：胡川
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