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专利名称：一种发光二极管外延片及其制备方法专利类型：发明专利发明人：万林
申请号：CN201610591135.9申请日：20160725公开号：CN106098882A公开日：20161109
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、超晶格应力释放层、P型层、电子阻挡层、多量子阱层、电流扩展层、N型层。本发明通过在衬底上依次层叠缓冲层、非掺杂GaN层、超晶格应力释放层、P型层、电子阻挡层、多量子阱层、电流扩展层、N型层，由于P型层优先多量子阱层生长，因此可以通过升高P型层的生长温度来提高P型层中掺杂的Mg的活化效率且不会破坏到多量子阱层，使电子和空穴在多量子阱层充分复合发光，提高了发光二极管的发光效率。
申请人：华灿光电(浙江)有限公司
地址：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村(浙江四达工具有限公司内)
国籍：CN
代理机构：北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人：徐立
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