（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN2018101881.6 （22）申请日 2018.03.08
（71）申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
（10）申请公布号 CN110246737A
（43）申请公布日 2019.09.17
（72）发明人 不公告发明人
（74）专利代理机构 上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 余明伟
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种半导体晶圆结构的刻蚀方法
（57）摘要
本发明提供一种半导体晶圆结构的刻蚀方
法，对待刻蚀半导体晶圆结构进行刻蚀，通入于边缘区域的刻蚀气体的流量大于通入于中心区域的刻蚀气体的流量且施加于待刻蚀半导体晶圆结构的射频偏压功率大于标准射频偏压功率，以增强边缘区域的刻蚀速率，提高待刻蚀半导体晶圆结构的刻蚀均匀性，避免相邻的两个刻蚀槽连接在一起，造成漏电，有效降低阻值，提高后续制备的半导体晶圆结构的质量。
法律状态
法律状态公告日
2019-09-17 2019-09-17 2019-10-15
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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权利要求说明书
一种半导体晶圆结构的刻蚀方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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