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专利名称：一种用于绝缘栅型HEMT的栅介质层陷阱态测定方
法
专利类型：发明专利发明人：毕志伟,张璨
申请号：CN201910155810.7申请日：20190301公开号：CN109901038A公开日：20190618
摘要：本发明公开了一种用于绝缘栅型HEMT的栅介质层陷阱态测定方法，采用遮掩法在同一衬底制作HEMT器件，通过对HEMT器件和MIS‑HEMT器件进行C‑V特性测试得到相应器件的耗尽电压，通过在耗尽电压附近选取栅电压作为测试点电压，对不同栅压下进行电容对频率(Cm～f)及电导对频率(Gm～f)特性测试，通过模型计算得到普通HEMT器件的势垒层陷阱态密度及MIS‑HEMT总陷阱态密度，进而计算得到MIS‑HEMT器件的介质层陷阱态密度，据此可以确定介质层质量。
申请人：西安太乙电子有限公司
地址：710049 陕西省西安市太乙路8号西安微电子技术研究所内
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：徐文权
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