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专利名称：MOS晶体管及其制作方法专利类型：发明专利发明人：赵猛
申请号：CN2010105035.2申请日：20101013公开号：CN102446763A公开日：20120509
摘要：本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在栅极结构两侧的半导体衬底上形成侧墙；在所述栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏区；在所述源/漏区的底部形成源/漏反型区，所述源/漏反型区的掺杂离子的导电类型与所述源/漏区的掺杂离子的导电类型相反；进行退火，激活所述源/漏区和源/漏反型区的掺杂离子。本发明的方法制作更适合超浅结制作工艺，减小了MOS晶体管的结电容和结漏电流，提高了晶体管应用与系统时系统的响应速度，降低了系统的功耗。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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